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台湾半导体产业再进入一个新的里程碑

发布时间:2020-12-22 20:01 作者:lol电竞外围在哪买

  台湾叱咤全球的半导体产业再进入一个新的里程碑!那就是晶圆代工龙头台积电位在南科的3 纳米厂正式举行上梁典礼。根据外媒《彭博社》的报导指出,台积电的3 纳米制程预计将在2022 年的下半年正式量产。台积电董事长刘德音也表示,3 纳米厂厂房基地面积约为35 公顷,无尘室面积将超过16 万平方公尺,大约是22 座标准足球场大小。而届时当3 纳米进入量产时,当年产能预估将超过每年60 万片12 吋晶圆,这也将使得台积电继续保持技术领先地位。

  根据市场研究及调查机构《IC INSIGHTS》的最新研究数据显示,2020 年全球前15 大半导体厂当中,台积电的年营收可望达454.2 亿美元,将仅次南韩三星(Samsung)及处理器龙头英特尔Intel),居全球第3 大半导体厂。不过,相较于三星有记忆体及晶圆制造,英特尔以销售处理器及其他芯片为主的商业模式,台积电则是其中唯一的纯晶圆代工厂。

  另外,根据TrendForce 旗下拓墣产业研究院的调研结果显示,2020 年第3 季台积电在全球晶圆代工市场的市占率高达53.9%,也就是在前10 名的晶圆代工企业当中,其他9 名的总和都没有台积电一家多。而这今日的台湾之光,掌握全球半导体制造产业的重要关键,当时是如何建立?这就得从1974 年在台北的一场会议中谈起。

  1974 年,当时的行政院秘书长费骅,会同包括经济部长孙运璿、交通部长高玉树、电信总局局长方贤齐、工研院院长王兆振与电信研究所所长康宝煌等政府官员,再加上美国无线电公司( RCA)研究主任潘文渊聚在一起讨论如何促进台湾经济转型,希望能从原本的纺织业转而发展电子业。讨论结果最后决定,藉由政府的主导来发展集成电路产业,由经济部在工研院底下设立「电子工业研究发展中心」,也就是后来的工研院电子所,以电子表使用的芯片为基础,预计自美国引进集成电路技术。

  潘文渊邀集海外华人组成「电子技术顾问委员会」(TAC),为工研院拟定技术合作邀请函,询问30 多家美国半导体厂商技术移转的意愿,最后选定RCA。当时RCA 已经在台湾设厂生产电子产品,而且愿意代训人才,并负有更新技术之义务,以及买回所生产出的芯片,因而雀屏中选。当时工研院选派杨丁元、史钦泰、章青驹等多人赴美国RCA 工厂培训,回台湾在电子所设立集成电路示范工厂,后来这些人均成为台湾半导体产业的关键人物。

  而电子示范工厂生产的首批电子表电路CD4007 A 的良率为55.7%,但4 个月后便超过RCA 估计的最高良率80%。此后甚至超越美国的平均良率83%,而达到88%,连RCA 都自叹不如。后来,RCA 甚至一度请求工研院将示范工厂或是技术卖回RCA,但为工研院拒绝,之后开启了台湾集成电路产业的辉煌世代。

  不过,产品大受欢迎的情况下,却产生了另一个问题,那就示范工厂越来越商业化,需要扩厂的资金需求也越来越高,而这与工研院身为研究机构,准备专心第二期集成电路研究计画产生冲突,因此决定将示范工厂切割出去,这也就是在1980 年成立衍生公司联华电子(联电)的由来。

  至于,后来台积电的成立,则是工研院电子所「超大型集成电路计画」的产物,之后成为继联电后的第2 家衍生公司。如同联电一般,1987 年成立台积电之际,时任行政院长俞国华希望民间持股能够至少有51%,以便确保台积电成为民营公司,但是同样因为台湾企业家缺乏信心而募资不顺,最后只得寻求外资合作,之后由行政院开发基金投资48.3%、荷兰飞利浦公司投资27.5%,本地民间资本仅占24.2%。

  台积电创立后,1988 年董事长张忠谋做了一个关键的决定,那就是透过私人情谊将老朋友Andy Grove(前英特尔创办人暨执行长)请到台湾对台积电展开认证,并争取为英特尔代工产品。当时,拿到英特尔的认证对于台积电来说至关重要,因为拿到世界级的认证就是对其生产能力最好的背书,同时也为公司建立起了规章制度上的国际化标准。

  在顺利通过英特尔的认证之后,等于为其所拥有的晶圆代工模式打开生意的大门,使得成立不久的台积电逐渐步上稳健的经营轨道,并在1994 年9 月5 日正式在台湾证券交易所上市,股票代码为之后的1997 年10 月8 日,台积电海外存托凭证又在纽约证券交易所上市,股票代码为TSM.N。

  而随着台积电后来在晶圆代工领域惊人的成功,尤其是在营业额屡创新高之际,依旧维持将近50% 的毛利率,台湾及世界各地的半导体设计公司因此大幅增加,加速了半导体产业的技术进步。之后,许多企业争相模仿,首先是新加坡的特许半导体(Chartered Semiconductor)也以纯晶圆代工模式与台积电竞争,此外,南韩三星、日本的富士重工、川崎钢铁、神户钢铁与山叶以及美国的英特尔等公司,也在自身业务外投入晶圆代工产业。

  面对晶圆代工市场的百花齐放,此时的台积电仍依照自己既定的步伐迈进。1999 年,台积电领先业界推出可商业量产的0.18 微米铜制程制造服务。2001 年,台积电推出业界第一套参考设计流程(Reference DesignFlow),协助开发0.25 微米及0.18 微米的客户降低设计障碍,以达到快速量产之目标。2005 年,领先业界成功试产65 纳米制程芯片。同年6 月,张忠谋辞去台积电执行职务,将棒子移交给其一手培养起来的接班人蔡力行,自己则仅担任董事长的职务。

  不过,世代轮替后的台积电并没有因此而一帆风顺。首先是2008 年全球金融海啸冲击,使得2009 年营收较2008 年下滑了11.2%,而且还因为劳资争议事件闹的满城风雨。再加上当时台积电正在积极开发的40 纳米制程遇上瓶颈,这些因素都让公司营运面临亏损的危机。

  2009 年6 月,在卸任4 年之后,张忠谋以78 岁高龄,重新回锅担任台积电执行长职务,透过一系列的危机处理,使台积电的营运重回正轨。而其中之一的关键,就是继40 纳米制程之后的28 纳米制程,台积电决定采用与英特尔相同的Gate-last 架构,放弃IBM 的Gate-First 架构,使得当时同样在开发28 纳米制程的竞争对手联电、三星、格罗方德都还持续在研发卡关的时刻,台积电能在2011 年正式量产28 纳米制程。

  有人称28 纳米制程为帮助台积电后来全面脱胎换骨的关键,现在看来一点都不为过。原因在于当其他竞争对手都还持续在与28 纳米制程技术奋斗之际,台积电率先推出28 纳米制程芯片,使得制程技术和台积电落差无法缩小落差的情况下,只能在65 及40 纳米的技术节点上彼此削价竞争。使得当初以高阶芯片为主的IC 设计公司在选择代工厂之际,可说除了台积电以外,就没有第二选择,也因此使得台积电在28 纳米节点上的优势维持了数年之久,而该制程亦可说是历年来对台积电营收贡献最大的制程之一,这也使得台积电之后进一步拉大与其他竞争对手差距,成为持续稳坐晶圆代工龙头的最大助力。

  2013 年,台积电挟28 纳米制程的技术与市场优势,推出半节点升级的20 纳米制程,只是,20 纳米为28 纳米制程所改良而来,在芯片面积微缩及功耗提升有限的情况下,较知名的除了苹果的A8 处理器外,正式采用的客户并不多,未能延续台积电在28 纳米制程上的优势,使得这时的台积电开始将期望放在下一个全节点提升的16纳米制程发展上。

  2014 年,台积电推出在20 纳米制程基础上加入FinFET 技术而成16 纳米制程,并且取得使用于搭载于苹果iPhone 6s 和iPhone 6s+ 智慧型手机上A9 处理器的部分订单。当时,台积电的竞争对手南韩三星,因为在28 纳米制程上始终无法突破台积电的优势之后,就将发展目标进一步跳过20 纳米制程,放置到更先进的14 纳米制程上,并且找来前台积电负责研发的梁孟松进行技术指点,之后领先台积电的16 纳米制程,率先推出14 纳米制程,后来还与先前持续在制程上领先台积电共享苹果A9 处理器订单。

  当时,苹果采取了使用双供应商的策略,同样的芯片设计分别由三星电子和台积电完成晶圆代工。三星生产的芯片代号为APL0898,使用14 纳米制程制造,面积为96 平方公厘;而台积电生产的芯片代号为APL1022,使用了16 纳米制程制造,面积为104.5 平方公厘。虽然略有区别,但是苹果宣称性能并无显著区别。

  之后,2015 年10 月,市场却传出,根据测试程式的结果,搭载三星代工芯片的iPhone 续航能力,较搭载台积电代工芯片的iPhone 更低的情况,一系列报导引起了消费者热议。虽然,这消息为苹果及三星所否认。但是自A9 系列处理器之后,苹果自A10 系列处理器开始,直到近期最新的A14 系列处理器,苹果就再也没有让三星进行代工,可以想像这次事件影响的巨大。

  虽然台积电与三星在16 及14 纳米制程上仍在激烈竞争,但当时的台积电已经开始着手新一代10 纳米制程的开发,而这其中还加入台积电后来关键的致胜武器──InFO 扇出型晶圆级封装技术,并在2016 年正式推出。事实上,扇出型晶圆级封装技术早在2010 年就已经被英特尔研发出来,最初用在英特尔的行动解决方案上,但可惜的是,英特尔并未坚持下去,反而台积电接手该技术的研发,并推出完全版的InFO 封装技术。而该封装技术的最大好处就是降低成本、加快芯片制造周期,在制程良率达到最佳水平时效率尤其明显。

  随着10 纳米制程之后,台积电紧接着迎接个位数纳米制程的来临。台积电的第1 代7 纳米制程于2017 年4 月开始开始大规模投产,相较于上一代的10 纳米FinFET 制程技术,台积电的7 纳米制程技术在逻辑闸密度提高1.6 倍,运算速度增快约20%,功耗降低约40%。至于,第二代的7 纳米(N7+)制程技术,在采用了及紫外光曝光技术(EUV) 之后,则于2018 年8 月开始试产。

  而台积电也曾表示,自2020 年7 月份终于生产出了第10 亿个7 纳米制程芯片之后,换句线 纳米制程自投产开始,到生产出第10 亿个芯片仅花费27 个月的时间,在平均每个月生产出3,700 万片7 纳米芯片的情况下,使得该制程较过去的其他制程都要更快达到其量产规模。另外,目前采用7 纳米制程的客户有数十家,其所生产的产品搭载在100 多种的产品上,而如果将这10 亿个内含数十亿个电机体的7 纳米芯片铺平,则足以覆盖13 个纽约曼哈顿。

  紧接着7 纳米制程的发展,2020 年台积电的5 纳米制程也进入正式的量产阶段。而根据台积电公布的资料显示,5 纳米制程将会是台积电的再一个重要制程节点,其中将分为N5、N5P 两个版本。N5 相较于前一个节点的N7 的7 纳米制程性能要再提升15%、功耗降低30%。而更先进的N5P 则将在N5 的基础上再将性能提升7%、功耗降低15%,而N5P 制程技术则预计于2021 年正式量产。

  回顾历程,台积电在1987 年成立时由1 座6 吋厂开始,如今已经发展成拥有4 座12 吋超大晶圆厂、4 座8 吋晶圆厂和1 座6 吋晶圆厂,并拥有一家百分之百持有之海外子公司──台积电(南京)有限公司之12 吋晶圆厂,及2 家百分之百持有之海外子公司──WaferTech 美国子公司、台积电(中国)有限公司之8 吋晶圆厂,再加上4 座后段封测厂的跨国性大型半导体公司。

  截至2019 年为止,台积电也提供最广泛的先进制程、特殊制程及先进封装等272 种制程技术,为499 个客户生产1 万761 种不同产品。而2020 年前3 季也缴出,收达新台币9,777.22 亿元,较2019 年同期增加29.9%,毛利率52.8%,较2019 年同期增加8.5 个百分点,税后纯益3,751.19 亿元,较2019 年同期增加63.6%,每股EPS 为14.47 元的亮丽成绩。紧接着,随着南科3 纳米厂的逐步完工,预计台积电未来还将持续发展,其将能为者个半导体产业带来什么样的改变,也让大家持续期待。

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  0具有低R ON 内部FET,工作电压范围为2.5 V至23 V.内部钳位电路能够分流±100 V的浪涌电压,保护下游元件并增强系统的稳健性。 FPF2290具有过压保护功能,可在输入电压超过OVP阈值时关断内部FET。 OVP阈值可通过逻辑选择引脚(OV1和OV2)选择。过温保护还可在130°C(典型值)下关断器件。 FPF2290采用完全“绿色”兼容的1.3mm×1.8mm晶圆级芯片级封装(WLCSP),带有背面层压板。 特性 电涌保护 带OV1和OV2逻辑输入的可选过压保护(OVP) 过温保护(OTP) 超低导通电阻,33mΩ 终端产品 移动 便携式媒体播放器 电路图、引脚图和封装图...

  39既可作为重置移动设备的计时器,又可作为先进负载管理器件,用于需要高度集成解决方案的应用。若移动设备关闭,保持/ SR0低电平(通过按下开启键)2.3 s±20%能够开启PMIC。作为一个重置计时器,FTL11639有一个输入和一个固定延迟输出。断开PMIC与电池电源的连接400 ms±20%可生成7.5 s±20%的固定延迟。然后负荷开关再次打开,重新连接电池与PMIC,从而让PMIC按电源顺序进入。连接一个外部电阻到DELAY_ADJ引脚,可以自定义重置延迟。 特性 出厂已编程重置延迟:7.5 s 出厂已编程重置脉冲:400 ms 工厂自定义的导通时间:2.3 s 出厂自定义关断延迟:7.3 s 通过一个外部电阻实现可调重置延迟(任选) 低I CCT 节省与低压芯片接口的功率 关闭引脚关闭负载开关,从而在发送和保存过程中保持电池电荷。准备使用右侧输出 输入电压工作范围:1.2 V至5.5 V 过压保护:允许输入引脚

  V BAT 典型R ON :21mΩ(典型值)(V BAT = 4.5 V时) 压摆率/浪涌控制,t R :2.7 ms(典型值) 3.8 A /4.5 A最大连续电流(JEDEC ...

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  4是一款精密5.0 V或12 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态电流。 输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和12 V输出电压选项,输出精度为2.0%,在整个温度范围内 非常适合监控新的微处理器和通信节点 40 I OUT = 100 A时的最大静态电流 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 350 mV时600 mV最大压差电压电流 在低输入电压下维持输出电压调节。 5.5 V至45 V的宽输入电压工作范围 维持甚至duri的监管ng load dump 内部故障保护 -42 V反向电压短路/过流热过载 节省成本和空间,因为不需要外部设备 AEC-Q100合格 满足汽车资格要求 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...

  4C是一款精密3.3 V和5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现22μA的典型静态电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反向,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664C与NCV4264,NCV4264-2,NCV4264-2C引脚和功能兼容,当需要较低的静态电流时可以替换这些器件。 特性 优势 最大30μA静态电流100μA负载 符合新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 极低压降600 mV(最大值)150 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部元件来实现保护。 5.0 V和3.3V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100 1级合格且PPAP能力 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 信息娱乐,无线电 汽车 电路图、引脚图和封装图...

  0B是一款精密极低Iq低压差稳压器。典型的静态电流低至28μA,非常适合需要低负载静态电流的汽车应用。复位和延迟时间选择等集成控制功能使其成为微处理器供电的理想选择。它具有5.0 V或3.3 V的固定输出电压,可在±2%至150 mA负载电流范围内调节。 特性 优势 固定输出电压为5 V或3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压,最高VBAT = 40 V 维持稳压电压装载转储。 输出电流高达150 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 延迟时间选择 为微处理器选择提供灵活性。 重置输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车网站和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为28 uA的低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100uA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 在空载条件下稳定 将系统静态电流保持在最低限度。...

  NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

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  4是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现典型的22μA静态接地电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV 。 内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664的引脚和功能与NCV4264和NCV4264-2兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代这些部件。 特性 优势 负载100μA时最大30μA静态电流 会见新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 极低压降电压 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3V固定输出电压,2%输出电压精度 AEC-Q100合格 汽车 应用 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 信息娱乐,无线电 电路图、引脚图和封装图...

  NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

  5是一款精密5.0 V和3.3 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现34μA的典型静态接地电流。 内部保护免受输入瞬态,输入电源反转,输出过流故障和芯片温度过高的影响。无需外部元件即可实现这些功能。 NCV8675引脚与NCV4275引脚兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代该器件。对于D 2 PAK-5封装,输出电压精确到±2.0%,对于DPAK-5封装,输出电压精确到±2.5%,在满额定负载电流下,最大压差为600 mV。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%或2.5% 能够提供最新的微处理器 负载为100uA时最大34uA静态电流 满足100uA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来实现保护。 AEC-Q100 Qualifie d 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...

  4-2功能和引脚与NCV4264引脚兼容,具有更低的静态电流消耗。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μA 处于待机模式时可以节省电池寿命。 保护: - 42 V反向电压保护短路保护热过载保护 无需外部元件在任何汽车应用中都需要保护。 极低压差 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100合格 应用 终端产品 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...

  4是一款宽输入范围,精密固定输出,低压差集成稳压器,满载电流额定值为100 mA。输出电压精确到±2.0%,在100 mA负载电流下最大压差为500 mV。 内部保护免受45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压和2.0%输出电压精度 严格的监管限制 非常低的辍学 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合汽车资格标准 应用 终端产品 车身与底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...

  4-2C是一款低静态电流消耗LDO稳压器。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μ 在待机模式下节省电池寿命。 极低压降500 mV( max)100 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 故障保护: -42 V反向电压保护短路/过流保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%,在整个温度范围内 AEC-Q100合格 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...

  2是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8772可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至24μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 Enable功能可用于进一步降低关断模式下的静态电流至1μA。 NCV8772包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流24μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过...

  0是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8770可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至21μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8770包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为21μA的超低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和E...

  MC33160 线系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...

  80是一款用于移动电源应用的低静态电流PMIC。 PMIC包含一个降压,一个升压和四个低噪声LDO。 特性 晶圆级芯片级封装(WLCSP) 可编程输出电压 软启动(SS)浪涌电流限制 可编程启动/降压排序 中断报告的故障保护 低电流待机和关机模式 降压转换器:1.2A,VIN范围: 2.5V至5.5V,VOUT范围:0.6V至3.3V 升压转换器:1.0A,VIN范围:2.5V至5.5V,VOUT范围:3.0V至5.7V 四个LDO:300mA,VIN范围:1.9V至5.5V,VOUT范围:0.8V至3.3V 应用 终端产品 电池和USB供电设备 智能手机 平板电脑 小型相机模块 电路图、引脚图和封装图...

  1 / 73产品是280 kHz / 560 kHz升压调节器,具有高效率,1.5 A集成开关。该器件可在2.7 V至30 V的宽输入电压范围内工作。该设计的灵活性使芯片可在大多数电源配置中运行,包括升压,反激,正激,反相和SEPIC。该IC采用电流模式架构,可实现出色的负载和线路调节,以及限制电流的实用方法。将高频操作与高度集成的稳压器电路相结合,可实现极其紧凑的电源解决方案。电路设计包括用于正电压调节的频率同步,关断和反馈控制等功能。这些器件与LT1372 / 1373引脚兼容,是CS5171和CS5173的汽车版本。 特性 内置过流保护 宽输入范围:2.7V至30V 高频允许小组件 最小外部组件 频率折返减少过流条件下的元件应力 带滞后的热关机 简易外部同步 集成电源开关:1.5A Guarnateed 引脚对引脚与LT1372 / 1373兼容 这些是无铅设备 用于汽车和其他应用需要站点和控制更改的ons CS5171和CS5173的汽车版本 电路图、引脚图和封装图...

  是一款线 mA输出电流。 NCP161器件旨在满足RF和模拟电路的要求,可提供低噪声,高PSRR,低静态电流和非常好的负载/线路瞬态。该器件设计用于1μF输入和1μF输出陶瓷电容。它有两种厚度的超小0.35P,0.65 mm x 0.65 mm芯片级封装(CSP),XDFN-4 0.65P,1 mm x 1 mm和TSOP5封装。 类似产品:

  是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为2592(H)x 1944(V)。它通过滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如分档,窗口以及视频和单帧模式。它专为低亮度和高动态范围性能而设计,具有线读出功能,可在ISP芯片中支持片外HDR。 AR0521可以产生非常清晰,锐利的数字图像,并且能够捕获连续视频和单帧,使其成为安全应用的最佳选择。 特性 5 Mp为60 fps,具有出色的视频性能 小型光学格式(1 / 2.5英寸) 1440p 16:9模式视频 卓越的低光性能 2.2 m背面照明像素技术 支持线读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头阴影校正 精确帧率控制的从属模式 数据接口:♦HiSPi(SLVS) - 4个车道♦MIPI CSI-2 - 4车道 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 应用 终端产品 视频监控 高动态范围成像 安全摄像头 行动相机 车载DVR 电路图、引脚图和封装...


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